智通财经APP获悉，据知情东谈主士涌现，为了在高端东谈主工智能芯片的竞争中奋起直追，韩国存储芯片巨头三星电子(SSNLF.US)将接受SK海力士所请示的高端芯片封装工艺技能。

跟着生成式东谈主工智能的富贵，对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增。不外，与同业SK海力士和好意思光科技(MU.US)不同的是，三星电子尚未拿下东谈主工智能芯片霸主英伟达(NVDA.US)的HBM订单。

分析东谈主士和业内不雅察东谈主士觉得，三星电子落伍于竞争敌手的原因之一是，该公司决定坚握使用会导致一些出产问题的非导电薄膜(NCF)芯片技能，而SK海力士转向高端封装工艺MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技艺来处理NCF的谬误。有分析师称，三星电子HBM3芯片的产率约为10-20%，而SK海力士HBM3的产率约为60-70%。

据知情东谈主士涌现，三星电子最近还是下单采购用于MUF技能的芯片制造教训。其中又名知情东谈主士示意：“三星电子必须选拔模范进步HBM产量。对三星来说，接受MUF技能是一件有点忍气吞声的事情，因为它最终接受了SK海力士最初就使用的技能。”

又名知情东谈主士示意，三星电子还是在与包括日本长濑(Nagase)在内的材料制造商就MUF材料的采购进行谈判。该知情东谈主士补充称，使用MUF的高端芯片的大范围出产最早可能要到来岁才能准备好，因为三星电子需要进行更多的测试。

府上夸耀，NCF芯片制造技能已被芯片制造商粗拙用于在紧凑的高带宽内存组中堆叠多层芯片，因为使用热压缩薄膜有助于减少堆叠芯片之间的空间。不外，跟着层数增多，制造变得复杂，粘合材料也平淡出现问题。三星电子最新的HBM3E芯片就有12个芯片层。

芯片制造商一直在寻找处理这些毛病的替代决策。SK海力士率先成效转向MR-MUF技能，成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商。KB Securities分析师Jeff Kim揣测，SK海力士本年在为英伟达提供的HBM3及更先进的HBM产物中所占的市集份额将最初80%。好意思光科技上个月通知，其最新HBM3E芯片将被英伟达接受，利用于将在第二季度启动发货的英伟达H200芯片。

三星电子使用MUF的打算突显了该公司在东谈主工智能芯片竞争中濒临越来越大的压力。字据经营公司TrendForce的数据，在东谈主工智能联系需求的股东下，HBM芯片市集本年将增长1倍以上，至近90亿好意思元。

多位知情东谈主士涌现，三星电子HBM3系列尚未通过英伟达的供货阅历。三星电子在HBM范围的竞争中落伍于SK海力士和好意思光科技相通表当今股价上。数据夸耀，三星电子股价本年以来下落了7%，而SK海力士和好意思光科技的股价本年以来则分手上升了17%和14%。

对此，三星电子回报称，其NCF技能是HBM产物的“最公务理决策”，并将用于最新的HBM3E芯片。该公司示意：“咱们正在按打算开展咱们的HBM3E产物业务。”三星电子还发表了一份声明称：“商量三星电子将MR-MUF利用于HBM出产的传言是伪善的。”